半導体光物性評価

時間分解および空間分解レーザ分光法を利用して、ワイドギャップ半導体の光学的性質に関する実験的研究を行っています。特に、励起子（電子と正孔がクーロン力により結合した擬似粒子）に着目し、半導体中に高密度の励起子が生成された際に発現する光物理現象の解明を行っており、多様な研究を可能とする充実した最先端のレーザ分光装置が揃っています。将来的には、励起子光物性に関する基礎研究とデバイス応用研究との融合を図り、励起子を利用した高機能かつ高効率な発光ダイオードやレーザダイオードの実用化を目指しています。

半導体結晶成長・デバイス作製

高品質な窒化物半導体基板結晶上に極薄膜結晶を何層も積層した構造を形成し、微細加工・電極形成技術を駆使することによって、高性能・高機能なLED、トランジスタなどのデバイス作製を行っています。基板結晶の成長、デバイス構造の作製から、出来上がった材料・デバイスの性能評価までを一貫して遂行可能な多数の研究設備を有しており、自ら作製したLEDを光らせる、トランジスタを動作させる達成感を味わえます。