第27回(2022年度)応用物理学会中国四国支部学術講演会発表奨励賞を受賞

創成科学研究科電気電子情報系専攻博士前期課程1年の稲井滉介さん(写真右側)、迫山卓哉さん(写真左側)が第27回(2022年)応用物理学会中国四国支部学術講演会発表奨励賞を受賞しました(学会HP：)。この賞は、2022年度応用物理 物理系学会中国四国支部合同学術講演会(2022年7月30日(土)、香川大学教育学部)における一般講演の中から選出され、応用物理学の発展に貢献しうる優秀な講演を行った若手会員に対し、その功績をたたえることを目的として授与されるものです。それぞれの受賞題目は以下の通りです。

• 稲井滉介さん　「高温アニール処理されたスパッタ成膜AlNテンプレート上AlGaN量子井戸構造における内部量子効率の量子井戸数依存性」
• 迫山卓哉さん　「InGaN/GaN多重量子井戸中の点欠陥の評価と伝搬メカニズム」

それぞれ、深紫外線光源用半導体材料(AlGaN)および可視光光源用半導体材料(InGaN)が有する結晶の不完全性(欠陥)が光学特性に与える影響の評価を通じた、電気-光エネルギー変換効率改善に向けての研究に対する受賞です。この度の受賞が今後の研究活動の励みとなることを期待しております。